衬底加工研发中试线日正在其子公司烁科晶研正式贯通。报道指出，该中试线的环节冲破正在于其所有环节设备均为自从研发，实现了100%国产化。报道指出，增大晶圆尺寸是降低成本的环节径。据晶盛机电暗示，取当前支流的8英寸产物比拟，12英寸碳化硅衬底每片晶圆可产出的芯片数量提拔约2。5倍，将正在大规模量产时显著降低单元成本。报道征引行业阐发称，一旦12英寸衬底进入量产阶段，单片成本无望下降约40%，而车规级功率模块单价可能从目前的150美元摆布降至约90美元。报道弥补指出，这将为新能源汽车、光伏发电、5G通信等下逛范畴的成本优化阐扬环节感化。正在晶盛机电推进手艺的同时，其他公司也正在鞭策12英寸碳化硅的成长。报道强调，跟着国内企业中科钢研的12英寸碳化硅衬底线岁尾实现量产，以及英飞凌取天科合达正合做开辟打算于2026年问世的12英寸沟槽栅SiC MOSFET，大尺寸碳化硅时代正加快到来。正在我国持续推进碳化硅财产自从可控的布景下，国内企业正快速扩大其全球影响力。报道征引行业数据称，中国正在全球碳化硅衬底市场的份额估计将从2024年的35%提拔至2025年的60%，设备国产化率将跨越80%。按照集邦征询数据，2024年Wolfspeed以34%的份额引领全球碳化硅衬底市场，但国内合作敌手天科合达和中科钢研正奋起曲逃，市场份额均已达到17%。报道显示，正在2024年占领全球市场的73。1%。报道同时强调，AI数据核心正成为新的增加动力，不竭上升的功耗和散热需求鞭策电源和冷却系统升级，值得留意的是，据《财富》报道，英伟达据称打算正在其下一代Rubin架构中采用碳化硅替代保守硅衬底，以对准更高机能——这一改变可能为行业新的机缘。